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深圳市金城微零件有限公司
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产品信息
产品型号:TK5A53D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):525
夹断电压VGS(V):±30
漏极电流Id(A):5
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.5 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.4
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):540
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：2.8
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):158
温度(℃): -55 ~150
描述:525V,5A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)
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